Названа основная причина низкой производительности смартфонов на , во всем виновата..."флешка".

Названа основная причина низкой производительности смартфонов на , во всем виновата..."флешка".

По мнению исследователей из Технологического института штата Джорджия, флеш-память NAND, используемая в современных смартфонах, способна оказывать негативный эффект на быстродействие привычных операций, таких как просмотр веб-страниц, загрузка электронной почты, общение в социальных сетях, использование приложений и пр.

Исследователи протестировали наиболее популярные 16-гигабайтные карты памяти от ведущих производителей (таких, как Transcend, RiData, SanDisk, Kingston, Wintec, A-Data, Patriot Memory и PNY), используемые в Android-смартфонах и обнаружили что производительность операций, предполагающих передачу данных по WiFi, может варьироваться между 100% и 300%. А в одном из тестов было зарегистрировано рекордное 20-кратное снижение производительности.

Сотрудники института предлагают использовать высокопроизводительную память на основе фазового перехода (PRAM) для хранения критически важных данных, к которым необходимо обеспечить быстрый доступ. PRAM-буфер может использоваться в промежуточных операциях записи или для постоянного хранения баз данных SQLite. Исследователи также рассуждают о необходимости внесения изменений в работу механизма SQLite FSync, который будет обеспечивать передачу буферизованных данных в хранилище.

20.02.2012

Похожие записи