Samsung разработала первый в мире 8-Гбит чип мобильной DRAM-памяти LPDDR4
Компания Samsung Electronics, мировой лидер в разработке модулей памяти, анонсировала первый в истории 8-Гбит чип DRAM-памяти LPDDR4 для смартфонов и планшетов.
«Новое поколение чипов памяти, поддерживающих интерфейс LPDDR4, вносит весомый вклад в развитие мирового рынка мобильной DRAM-памяти, так как вскоре стандарт LPDDR4 станет преобладающим, — говорит Ян-Хьюн Джун (Young-Hyun Jun), исполнительный вице-президент направления продаж и маркетинга компьютерной памяти Samsung Electronics. — Мы продолжим представлять самые продвинутые модули DRAM-памяти, которые на шаг опережают другие продукты, что позволяет производителям оборудования своевременно выпускать инновационные мобильные устройства для пользователей».
Новый 8-Гбит высокоскоростной чип DRAM-памяти LPDDR4 обеспечивает высокий уровень производительности и энергоэффективности, гарантируя быструю работу мобильных приложений, а также эффективное использование в мобильных устройствах экранов со сверхвысоким разрешением при одновременной минимизации энергопотребления.
8-Гбит чип LPDDR4 сделан по 20-нм техпроцессу и имеет самый высокий показатель плотности хранения данных среди чипов памяти на сегодняшний день. Благодаря четырем чипам по 8 Гбит, собранным в одном корпусе, производители мобильных устройств получают возможность установки сразу 4 ГБ оперативной памяти LPDDR4 одним модулем. Это позволит мобильным устройствам достичь новых высот производительности, не жертвуя при этом ни габаритами, ни энергопотреблением.
Стоить отметить, что память Samsung 8 Гбит LPDDR4 использует новый интерфейс ввода/вывода LVSTL (Low Voltage Swing Terminated Logic), впервые предложенный комитету JEDEC компанией Samsung и впоследствии ставший стандартом для памяти LPDDR4 DRAM. Основанный на новом интерфейсе чип LPDDR4 способен обеспечить скорость передачи данных 3200 Мбит/с на контакт, что в два раза лучше показателей LPDDR3 DRAM-памяти предыдущего поколения класса 20 нм. К тому же, новый интерфейс потребляет на 40 % меньше энергии при рабочем напряжении 1,1 В.
С выпуском нового чипа Samsung сфокусируется на премиальном сегменте мобильного рынке, включающем смартфоны с большими UHD-экранами, планшеты и ультратонкие ноутбуки, имеющие разрешение экрана вчетверо выше предыдущих моделей. Также чип будет применен в высокопроизводительных сетевых системах.
Samsung является лидирующим разработчиком мобильной памяти DRAM и первым по доле рынка мобильной памяти DRAM благодаря 4-Гбит и 6-Гбит чипам LPDDR3. В ноябре 2013 года компания представила самые тонкие и компактные модули LPDDR3-памяти на 3 ГБ (собранные из четырех 6-Гбит чипов), а в 2014 году начнет массовый выпуск 8-Гбит чипов памяти LPDDR4 DRAM. 8-Гбит чипы мобильной DRAM-памяти быстро расширят рынок DRAM-памяти для мобильных устройств следующего поколения.
