Hynix представила первый в мире 128-гигабайтный модуль памяти DDR4
Компания SK Hynix анонсировала первый в мире модуль памяти типа DDR4-2133 объёмом 128 ГБ. По заявлению производителя, никто из конкурентов подобный объём в этом сегменте рынка ещё не предлагает.
Микросхемы памяти DDR4 южнокорейская компания производит по технологии 20-нм класса с использованием «многослойной» компоновки, позволяющей значительно увеличить «плотность». Модуль имеет полосу пропускания 17 Гбит/с и работает на частоте 2133 МГц по 64-битному интерфейсу ввода/вывода. Помимо этого, он потребляет всего 1,2 В, против 1,35 В у нынешних модулей DDR3. Массовое производство памяти такого объёма будет налажено в первой половине 2015 года.
Источники в Intel говорят, что чипмейкер обеспечит поддержку перспективного формата памяти DDR4 осенью 2014 года. Новый формат DDR4 был в разработке около пяти лет, он предлагает более высокую скорость обмена данными при пониженном энергопотреблении. Также выход этого формата на рынок означает постепенное списание формата памяти DDR3, который сейчас считается мейнстримовым.
Несколько дней назад аналитик Мэтт Марголис со ссылкой на производителя Micron сообщил, что компания Apple планирует в следующем поколении iPhone, iPad и MacBook перейти на использование памяти DDR4 вместо нынешней DDR3. Этот шаг обеспечит увеличение производительности и продолжительности автономной работы мобильных устройств.
