Samsung начала производство инновационной флеш-памяти 3D V-NAND с 32 слоями
Южнокорейская компания Samsung объявила о начале массового производства первой в отрасли флеш-памяти 3D V-NAND с объёмной структурой, имеющей 32 слоя для хранения данных.
Методика V-NAND, или Vertical NAND, предусматривает компоновку кристаллов флеш-памяти по вертикали: это позволяет получить трёхмерную структуру микрочипа и в разы повысить количество хранимой информации на единицу площади. Надёжность хранения данных по сравнению с обычными «двухмерными» изделиями возрастает при этом в 2–10 раз.
Samsung отмечает, что в течение последних лет флеш-память создавалась на основе плоских однослойных структур с ячейками с плавающим затвором. Однако после освоения процесса производства с топологическим размером «10-нм масштаба» возникла необходимость в новых технологических решениях, поскольку интерференция между соседними ячейками приводит к снижению надёжности NAND-памяти. Попытки решить возникающие проблемы в рамках классических технологий влекли за собой увеличение времени разработки и стоимости чипов памяти.
Технология V-NAND решает эти технические проблемы благодаря инновациям в структуре, схемотехнике и производственном процессе. Для этого Samsung обновила разработанную в 2006 году технологию 3D Charge Trap Flash. В CTF-конструкции электрический заряд (определяющий хранящиеся в ячейке памяти данные) временно помещается в специальную изолированную область ячейки из непроводящего нитрида кремния (SiN) вместо используемого в классических технологиях плавающего затвора полевого транзистора для предотвращения интерференции между соседними ячейками памяти. Благодаря трёхмерной структуре слоёв в CTF-конструкции удалось значительно повысить надёжность и скорость памяти.
Новое поколение памяти Samsung 3D V-NAND использует 32-слойную структуру против 24-слойной у решений предыдущего семейства. Память будет применяться в твердотельных накопителях ёмкостью до 1 Тбайт.
