Samsung начинает производство памяти DDR4.
Samsung производит 4-гигабайтные чипы с использованием 20-нм технологии, а в конечном итоге перейдет к модулям памяти по 16 и 32 ГБ. Ожидается, что чипы будут способны обеспечить скорость передачи данных в 2.667 гигабит в секунду, что в 1.25 раз быстрее чем DDR3.
Ранее, в 2012, JEDEC установила стандарты для DDR4 моулей, которые должны были бы стать более производительными и эффективными, по сравнению с модулями DDR3. С памятью DDR4 количество произведенных операций по пересылке данных в секунду будет достигать от 1.6 GT/s (гигатрансферо в секунду) до 3.2 GT/s, при этом потребляя 1.2 вольта вместо 1.5, которые использует память DDR3.
Samsung пока не объявила дату начала продаж своих модулей (также неизвестна и цена), но заявляет, что с помощью своих чипов они разработают "самую большую линейку модулей памяти, нацеленную на разные продукты - от серверов до мобильных устройств".
Ранее в этом году утекшие планы Intel показали, что поддержка такой памяти начнется в 2014 году. При этом в серверах должны быть установлены процессоры Haswell-E. Также эти процессоры должны будут поддерживать и ПК-системы (во второй половине 2014). Примерно в это же время ожидается выход Intel Broadwell, но Intel еще не подтвердила совместимость технологии ни с одним из своих продуктов.
