У SK Hynix готовы «первые в мире» микросхемы мобильной памяти LPDDR4 DRAM плотностью 8 Гбит
Как мы уже сообщали, под занавес прошлого года компания Samsung объявила о выпуске первых в отрасли микросхем мобильной памяти LPDDR4 DRAM плотностью 8 Гбит. Одновременно о выпуске микросхем мобильной памяти LPDDR4 DRAM плотностью 8 Гбит объявила компания SK Hynix, тоже не преминувшая назвать их «первыми в мире».
Как и в случае продукции Samsung, микросхемы SK Hynix выпускаются по техпроцессу «20-нанометрового класса». Они поддерживают передачу данных со скоростью 3200 Мбит/с, работая при напряжении питания 1,1 В. Для сравнения: показатели серийно выпускаемой сейчас памяти LPDDR3 DRAM равны 1600 Мбит/с и 1,2 В.
02.01.2014
